化學氣相沉積和物理氣相沉積的區(qū)別

Raina

物理氣相沉積（PVD）設(shè)備：通過物理過程在基底上沉積納米薄膜，如濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜等。
化學氣相沉積（CVD）設(shè)備：通過化學反應(yīng)在基底上沉積納米材料，廣泛應(yīng)用于碳納米管、石墨烯等二維材料的合成。
CVD 和 PVD 各有優(yōu)勢和局限性，選擇哪種技術(shù)取決于具體的應(yīng)用需求、基底材料、薄膜性能要求以及成本考慮。CVD 適用于需要高化學純度和均勻性的復雜形狀基底，而 PVD 則適用于對溫度敏感的基底和簡單的平面基底。

qidian

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ke0910

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